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为了满足对压电式MEMS器件不断增加的科研力度和技术关注,PiezoMUMPs于2013年推向市场。采用SOIMUMPs工艺作为基线,PiezoMUMPs以可靠的标准工艺为依托的压电薄膜,从而尽量减少了引进新标准和MPW工艺所带来的固有难题。
 
关于工艺
 
PiezoMUMPs和SOIMUMPs工艺类似,是在SOI的10um器件层上增加了0.5um厚的氮化铝层。根据用户群反馈情况,未来的器件层和AIN厚度将更具灵活性。工艺从SOI晶圆开始,它由支持层,隐埋氧化层和器件晶圆组成。采用一次光刻步骤处理SOI晶圆的两面,用于形成器件层和handle晶圆层。SOIMUMPs允许设计者在SOI晶圆两面都形成图案并蚀刻到隐埋氧化层。
两个金属层,一个用于键合焊盘,另一个用于压,都包括在在标准工艺中。压电最小特征尺寸是2um。
 
压电MEMS跨越多个设备领域:能源采集,传感,超声波传感器,麦克风和执行器。