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    Metal MUMPs是在MEMScap的微型继电器的工艺流程基础上,经过修改而成的,并于2003年开始面向市场。
 
    Metal MUMPs的最小线宽为5微米,采用Metal MUMPs的三种工艺:准LIGA工艺,厚金属电镀工艺和体表面硅工艺可以在下面有氢氧化钾刻蚀的沟槽的多晶硅和氮化硅薄膜上制作18~22微米高的镍金属结构。在该结构中,电镀的镍作为结构材料和电互连层;掺杂的多晶硅可以作为电阻和其余的机械结构,以及交叉电通路;氮化硅作为绝缘层;PSG作为牺牲层;沟槽同时可做另外的热和电隔离;金作为覆盖镍结构侧壁的低接触电阻材料。
 
    目前可以用MetalMUMPs完成的器件包括:微型继电器,微流体器件,磁开关和RF器件等。