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MEMS代工/MUMPs
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    SOIMUMPs是在MEMSCAP的可变光衰减器的工艺流程基础上，经过修改而成的，并于2003年开始面向市场。
 
    SOI晶圆由衬底层（400微米厚）、埋氧化层和器件层构成，其中器件层有10微米和25微米两种厚度可供选择，并且SOI晶圆可以进行双面光刻。SOIMUMPs就是以这种SOI晶圆作为基底，其工艺可以完成从两侧刻蚀到埋氧层来制作光通路，沉积两层金属一层作为焊盘一层作为反射层，其最小线宽为2微米。目前可用SOI MUMPs完成的器件包括：陀螺仪，光学器件和显示器件等。