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    SOIMUMPs是在MEMSCAP的可变光衰减器的工艺流程基础上,经过修改而成的,并于2003年开始面向市场。
 
    SOI晶圆由衬底层(400微米厚)、埋氧化层和器件层构成,其中器件层有10微米和25微米两种厚度可供选择,并且SOI晶圆可以进行双面光刻。SOIMUMPs就是以这种SOI晶圆作为基底,其工艺可以完成从两侧刻蚀到埋氧层来制作光通路,沉积两层金属一层作为焊盘一层作为反射层,其最小线宽为2微米。目前可用SOI MUMPs完成的器件包括:陀螺仪,光学器件和显示器件等。